hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U is hier: Tuiste » Produkte » IgBt » 600V-650V » 20A 650V TrenchStop geïsoleerde hek bipolêre transistor DGC20F65M2 TO-247-3L

laai

Deel aan:
Facebook -deelknoppie
Twitter -delingknoppie
Lyndeling -knoppie
WeChat Sharing -knoppie
LinkedIn Sharing -knoppie
Pinterest Sharing -knoppie
whatsapp -delingknoppie
Sharethis Sharing -knoppie

20A 650V Trenchstop geïsoleerde hek bipolêre transistor DGC20F65M2 TO-247-3L

Die 650V FS IGBT, met behulp van Donghai se eie slootontwerp en Advance FS -tegnologie, bied uitstekende en skakeloptredes, hoë lawine robuustness maklike parallelle werking
beskikbaarheid:
hoeveelheid:

20A 650V slootstop geïsoleerde hek bipolêre transistor


1 Beskrywing 

Die 650V FS IGBT, met behulp van Donghai se eie slootontwerp en Advance FS -tegnologie, bied uitstekende en skakelprestasies, hoë lawine robuustness maklike parallelle werking 


2 funksies

● FS sloottegnologie, positiewe temperatuurkoëffisiënt 

● Lae versadigingsspanning: VCE (SAT), TYP = 1.8V @ IC = 20A en TJ = 25 ° C

● Uiters verbeterde lawine -vermoë 


3 Aansoeke 

● Sweis 

● UPS 

● Drie-vlak omskakelaar


VDS's Vcesat, tj = 25 ℃ Id
650V 1.8V 20A


Vorige: 
Volgende: 
  • Teken in vir ons nuusbrief
  • Maak gereed vir die toekomstige
    aanmelding vir ons nuusbrief om opdaterings direk na u inkassie te kry