20A 650V kraavitõkkega isoleeritud väravaga bipolaarne transistor DGC20F65M2 TO-247-3L

20A 650V Trenchstop isoleeritud väravaga bipolaarne transistor

1 Kirjeldus 

Kasutades DongHai patenteeritud kaeviku disaini ja täiustatud FS-tehnoloogiat, pakub 650 V FS IGBT suurepäraseid ja lülitusomadusi, kõrget laviinikindlust ja hõlpsat paralleelset töötamist. 

2 Omadused

● FS Trench Technology, positiivne temperatuuritegur 

● Madal küllastuspinge: VCE (sat), tüüp = 1,8 V @ IC = 20 A ja Tj = 25 °C

● Äärmiselt täiustatud laviinivõime 

3 Rakendused 

● Keevitamine 

● UPS 

● Kolmetasandiline inverter

VDSS	Vcesat, Tj = 25 ℃	ID
650V	1,8 V	20A