Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi Trenchstop 20A 650V
1 Deskripsi
Menggunakan desain Trench milik DongHai dan teknologi FS yang canggih, IGBT FS 650V menawarkan kinerja superior dan switching, ketangguhan longsoran salju yang tinggi, pengoperasian paralel yang mudah
2 Fitur
● Teknologi Parit FS, Koefisien suhu positif
● Tegangan saturasi rendah: VCE(sat), typ = 1,8V @ IC =20A dan Tj =25°C
● Kemampuan longsoran salju yang sangat ditingkatkan
3 Aplikasi
● Pengelasan
● UPS
● Inverter Tiga Tingkat
| VDSS |
Vcesat,Tj=25℃ |
PENGENAL |
| 650V |
1.8V |
20A |