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DSD090N10L3A
WXDH
TO-252B
100V
68A
100 V/8 mΩ/68 A N-MOSFET
1 Beschreibung
Die Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Splite-Gate-Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● AEC-Q101-qualifiziert
• Geringer Widerstand
• Geringe Rückübertragungskapazitäten
• 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
• 100 % ΔVDS-Test
• Bleifreie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform
3 Anwendungen
● Leistungsschaltanwendungen
• DC-DC-Wandler
• Volle Brückenkontrolle
| VDSS | RDS(ein)(TYP) | AUSWEIS |
| 100V | 8mΩ | 68A |




