100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B

100 V/8mΩ/68a n-mosfet

1 Beschreibung 

Das N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten das Design des fortschrittlichen Splite Gate-Gattentechnologie-Designs und bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● AEC-Q101 qualifiziert 

• Niedriger Widerstand 

• Niedrige Umkehrtransferkapazität 

• 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

• 100% ΔVDS -Test

• Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform

3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen

• DC-DC-Konverter 

• Vollbrückenkontrolle