Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantitas: | |
DSD090N10L3A
Wxdh
To-252b
100V
68a
100V/8MΩ/68A N-MOSFET
1 deskripsi
Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit gate splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
2 fitur
● AEC-Q101 memenuhi syarat
• Rendah Tahan
• Kapasitansi transfer terbalik rendah
• Tes energi longsor pulsa tunggal 100%
• Tes 100% ΔVDS
• Pompa bebas PB / bebas halogen / roHS
3 aplikasi
● Aplikasi switching daya
• Konverter DC-DC
• Kontrol jembatan penuh
VDSS | RDS (on) (Typ) | PENGENAL |
100V | 8mΩ | 68a |
100V/8MΩ/68A N-MOSFET
1 deskripsi
Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit gate splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
2 fitur
● AEC-Q101 memenuhi syarat
• Rendah Tahan
• Kapasitansi transfer terbalik rendah
• Tes energi longsor pulsa tunggal 100%
• Tes 100% ΔVDS
• Pompa bebas PB / bebas halogen / roHS
3 aplikasi
● Aplikasi switching daya
• Konverter DC-DC
• Kontrol jembatan penuh
VDSS | RDS (on) (Typ) | PENGENAL |
100V | 8mΩ | 68a |