100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B

100V/8mΩ/68A N-MOSFET

1 Beskrivelse 

Power-Mosfets'erne i N-kanal-forbedringstilstanden brugte avanceret split-gate-gravteknologidesign, hvilket gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● AEC-Q101 kvalificeret 

• Lav modstand 

• Lave omvendte overføringskapacitanser 

• 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

• 100 % ΔVDS-test

• Pb-fri plettering / Halogen-fri / RoHS-kompatibel

3 Ansøgninger 

● Strømskifteapplikationer

• DC-DC omformere 

• Fuld brokontrol

VDSS	RDS(til)(TYP)	ID
100V	8mΩ	68A