100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B

100V/8mΩ/68A N-MOSFET

1 Açıklama 

N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş bölünmüş geçit hendek teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● AEC-Q101 onaylı 

• Düşük direnç 

• Düşük ters transfer kapasitansları 

• %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

• %100 ΔVDS testi

• Kurşunsuz kaplama / Halojensiz / RoHS uyumlu

3 Uygulama 

● Güç anahtarlama uygulamaları

• DC-DC dönüştürücüler 

• Tam köprü kontrolü

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
100V	8mΩ	68A