100V/8MΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B

100V/8MΩ/68A N-MOSFET

1 Leírás 

Az N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET-ek Advanced Splite Gate Trench Technology Design-t használtak, kiváló RDSON-t és alacsony kapu töltést biztosítanak. Amely megfelel a ROHS szabványnak. 

2 Jellemzők 

● AEC-Q101 képzettség 

• Alacsony az ellenállás 

• Alacsony fordított transzfer kapacitás 

• 100% egyetlen impulzusos lavina energiateszt 

• 100% ΔVDS teszt

• PB-mentes borítás / halogénmentes / ROHS kompatibilis

3 alkalmazás 

● Teljesítményváltó alkalmazások

• DC-DC átalakítók 

• Teljes hídvezérlés