100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B

100V/8mΩ/68A N-MOSFET

1 መግለጫ 

የኤን-ቻናል ማሻሻያ ሁነታ ሃይል ሞስፌቶች የላቀ የተከፈለ በር ትሬንች ቴክኖሎጂ ዲዛይን ተጠቅመዋል፣ በጣም ጥሩ የሆነ Rdson እና ዝቅተኛ የበር ክፍያ። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል። 

2 ባህሪያት 

● AEC-Q101 ብቁ 

• ዝቅተኛ የመቋቋም ችሎታ 

• ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ ማስተላለፊያ አቅም 

• 100% ነጠላ የpulse avalanche የኃይል ሙከራ 

• 100% ΔVDS ፈተና

• Pb-ነጻ plating / Halogen-free / RoHS ታዛዥ

3 መተግበሪያዎች 

● የኃይል መቀያየር መተግበሪያዎች

• የዲሲ-ዲሲ መቀየሪያዎች 

• ሙሉ ድልድይ ቁጥጥር

ቪዲኤስኤስ	RDS(በርቷል)(TYP)	መታወቂያ
100 ቪ	8mΩ	68A