未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

MOSFET

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
DH030N03
4A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D4N80 TO-252B D4N80 TO-252B 800V 4A 英文版D4N80技术规格书.pdf
840/F840/I840/ E840/B840/D840
10N60/F10N60/E10N60
100A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30V 100A Specifikace zařízení DHP150N03(1).pdf
DHD10N65
7N60/F7N60/I7N60/ E7N60/B7N60/D7N60
10N65/F10N65/I10N65
740/F740/I740/ E740/B740/D740
12N65/F12N65
5N50/F5N50/B5N50/D5N50
120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98V 120A Zařízení DH90N045RSM2 Specifikace.pdf
8N60/F8N60
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
23N50D
10A 30V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30V 10A Specifikace zařízení DH160P03V Rev.1.0.pdf
220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40V 220A Specifikace zařízení DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
8N65/F8N65
13A 900V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET 13N90 TO-3PN 13N90 TO-3PN 900V 13A 英文版13N90技术规格书.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com