Výkonový MOSFET 23A 500V N-channel Enhancement Mode
1 Popis
Tyto křemíkové N-kanálové vylepšené vdmosfety jsou získány samozarovnanou planární technologií, která snižuje
ztráta vedení, zlepšení spínacího výkonu a zvýšení lavinové energie. Což odpovídá standardu RoHS.
2 Vlastnosti
● Rychlé přepínání
● Vylepšená schopnost ESD
● Nízký odpor (Rdson≤0,28Ω)
● Nízké nabití brány (Typ: 52 nC)
● Nízké zpětné přenosové kapacity (Typ: 16pF)
● 100% jednopulzní lavinový energetický test
● 100% test ΔVDS
3 Aplikace
● Používá se v různých spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.
● Obvod vypínače adaptéru a nabíječky.
| VDSS |
RDS(zapnuto)(TYP) |
ID |
| 500V |
0,22Ω |
23A |