23N50D

23A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն

Այս սիլիկոնային N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է

հաղորդունակության կորուստ, բարելավել անջատման կատարումը և բարձրացնել ավալանշի էներգիան: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:

2 Հատկանիշներ

● Արագ միացում

● ESD բարելավված կարողություն

● Ցածր դիմադրություն (Rdson≤0,28Ω)

● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 52nC)

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (Տեսակ՝ 16 pF)

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում

● 100% ΔVDS թեստ

3 Դիմումներ

● Օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար:

● Ադապտերի և լիցքավորիչի հոսանքի անջատիչի միացում:

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
500 Վ	0,22 Ω	23Ա