gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 400V-1500V n Mos » 23n50d

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

23n50d

23A 500V N-Channel Enhancement Mode Power Power MOSFET
Ketersediaan:
Kuantitas:

23A 500V N-saluran Mode Peningkatan Power MOSFET

1 deskripsi

VDMOSFET yang ditingkatkan N-channel Silikon ini, diperoleh dengan teknologi planar self-self-egois yang mengurangi

Kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja switching dan meningkatkan energi longsoran salju. Yang sesuai dengan standar ROHS.

2 fitur

● Pergantian cepat

● Kemampuan ESD Peningkatan

● Rendah pada resistansi (RDSON≤0.28Ω)

● Pengisian Gerbang Rendah (TYP: 52NC)

● Kapasitansi transfer terbalik rendah (TYP: 16PF)

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100%

● Tes 100% ΔVDS

3 aplikasi

● Digunakan di berbagai sirkuit switching daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.

● Sirkuit sakelar daya adaptor dan pengisi daya.


VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
500v 0.22Ω 23a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Newsletter kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda