23N50D

Chế độ tăng cường kênh N 23A 500V MOSFET nguồn

1 Mô tả

Các vdmosfet nâng cao kênh N silicon này thu được bằng công nghệ phẳng tự căn chỉnh giúp giảm

tổn thất dẫn truyền, cải thiện hiệu suất chuyển mạch và tăng cường năng lượng tuyết lở. Phù hợp với tiêu chuẩn RoHS.

2 tính năng

● Chuyển đổi nhanh

● Khả năng cải tiến của ESD

● Điện trở thấp (Rdson<0,28Ω)

● Phí cổng thấp (Loại: 52nC)

● Điện dung truyền ngược thấp (Loại: 16pF)

● Kiểm tra năng lượng tuyết lở xung đơn 100%

● Kiểm tra ΔVDS 100%

3 ứng dụng

● Được sử dụng trong các mạch chuyển mạch nguồn khác nhau để thu nhỏ hệ thống và đạt hiệu quả cao hơn.

● Mạch chuyển đổi nguồn của adapter và bộ sạc.

VDSS	RDS(bật)(TYP)	NHẬN DẠNG
500V	0,22Ω	23A