2Н65/Ф2Н65/Б2Н65/Д2Н65

2А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор

1 Описание

Эти кремниевые N-канальные улучшенные vdmosfets получены с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает

потери проводимости, улучшают характеристики переключения и повышают лавинную энергию. Что соответствует стандарту RoHS.

2 особенности

● Быстрое переключение

● Низкое сопротивление (Rdson≤5 Ом).

● Низкий заряд затвора (тип: 9 нКл).

● Низкая емкость обратного переноса (тип: 6 пФ).

● 100% испытание лавинной энергии одним импульсом

● 100 % ΔVDS-тест.

3 приложения

● Используется в различных схемах переключения мощности для миниатюризации системы и повышения эффективности.

● Цепь выключателя питания адаптера и зарядного устройства.

ВДСС	RDS(вкл.)(ТИП)	ИДЕНТИФИКАТОР
650В	4,2 Ом	2А