2A 650V N-channel Mode Peningkatan Daya MOSFET
1 Deskripsi
Vdmosfet yang ditingkatkan saluran-N silikon ini, diperoleh dengan teknologi planar self-aligned yang mengurangi
kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja peralihan dan meningkatkan energi longsoran salju. Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
● Peralihan cepat
● Resistensi rendah (Rdson≤5Ω)
● Biaya gerbang rendah (Tipe: 9nC)
● Kapasitansi transfer balik rendah (Tipe: 6pF)
● 100% uji energi longsoran pulsa tunggal
● Tes ΔVDS 100%.
3 Aplikasi
● Digunakan di berbagai rangkaian peralihan daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.
● Rangkaian saklar daya adaptor dan pengisi daya.
| VDSS |
RDS(aktif)(TYP) |
PENGENAL |
| 650V |
4.2Ω |
2A |