در دسترس بودن: | |
---|---|
مقدار: | |
2A 650V N-channel Mode Mode MOSFET
1 توضیحات
این VDMOSFET های پیشرفته کانال N- کانال سیلیکون ، توسط فناوری مسطح خود با هم تراز شده که کاهش می یابد به دست می آید
از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد.
2 ویژگی
● سوئیچینگ سریع
● کم مقاومت (rdson≤5Ω)
legh شارژ پایین دروازه (TYP: 9NC)
● خازن انتقال معکوس پایین (تایپ: 6pf)
● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک
● 100 ٪ تست ΔVDS
3 برنامه
● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.
circuit مدار سوئیچ برق آداپتور و شارژر.
vdss | rds (روشن) (تایپ) | شناسه |
650 ولت | 4.2Ω | 2a |
2A 650V N-channel Mode Mode MOSFET
1 توضیحات
این VDMOSFET های پیشرفته کانال N- کانال سیلیکون ، توسط فناوری مسطح خود با هم تراز شده که کاهش می یابد به دست می آید
از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد.
2 ویژگی
● سوئیچینگ سریع
● کم مقاومت (rdson≤5Ω)
legh شارژ پایین دروازه (TYP: 9NC)
● خازن انتقال معکوس پایین (تایپ: 6pf)
● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک
● 100 ٪ تست ΔVDS
3 برنامه
● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.
circuit مدار سوئیچ برق آداپتور و شارژر.
vdss | rds (روشن) (تایپ) | شناسه |
650 ولت | 4.2Ω | 2a |