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MUR1070
WXDH
Diodo de recuperação rápida 10A 700V
1 Descrição
Diodos ultrarrápidos de 10A, 700V Eles têm uma baixa queda de tensão direta e são de construção epitaxial plana, passivada com nitreto de silício, implantada com íons.Esses dispositivos destinam-se ao uso como diodos de direção/fixação de energia e retificadores em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia.Sua baixa carga armazenada e recuperação ultrarrápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação TO-220F fornece tensão de isolamento avaliada em 2.000 V RMS de todos os três terminais para o dissipador de calor externo.
2 recursos
Baixa perda de energia,
alta eficiência Baixa tensão direta,
alta capacidade de corrente Alta capacidade de surto
Tempos de recuperação super rápidos
alta tensão
3 aplicações
Fonte de alimentação comutada
Circuitos de comutação de energia
Uso Geral
VBR | VF(único)(MÁX.) | SE(AV)(único) |
700 V | 1,6V | 10A |
Diodo de recuperação rápida 10A 700V
1 Descrição
Diodos ultrarrápidos de 10A, 700V Eles têm uma baixa queda de tensão direta e são de construção epitaxial plana, passivada com nitreto de silício, implantada com íons.Esses dispositivos destinam-se ao uso como diodos de direção/fixação de energia e retificadores em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia.Sua baixa carga armazenada e recuperação ultrarrápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação TO-220F fornece tensão de isolamento avaliada em 2.000 V RMS de todos os três terminais para o dissipador de calor externo.
2 recursos
Baixa perda de energia,
alta eficiência Baixa tensão direta,
alta capacidade de corrente Alta capacidade de surto
Tempos de recuperação super rápidos
alta tensão
3 aplicações
Fonte de alimentação comutada
Circuitos de comutação de energia
Uso Geral
VBR | VF(único)(MÁX.) | SE(AV)(único) |
700 V | 1,6V | 10A |
foi fundada em dezembro de 2004, localizada em No. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, distrito de Xinwu, cidade de Wuxi, província de Jiangsu.Abrange uma área de 15.000m2.O capital social é de 81,5 milhões de yuans.Tem uma linha de produção anual de 500 milhões de energia de
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada em dezembro de 2004, está localizada em No. 88, East Zhongtong Road, cidade de Shuofang, distrito de Xinwu, cidade de Wuxi, província de Jiangsu.Com área de 15.000 metros quadrados e capital social de 81,50 milhões de yuans, é uma empresa de alta tecnologia.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada em dezembro de 2004, está localizada em No. 88, East Zhongtong Road, cidade de Shuofang, distrito de Xinwu, cidade de Wuxi, província de Jiangsu.Com área de 15.000 metros quadrados e capital social de 81,50 milhões de yuans, é uma empresa de alta tecnologia.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada em dezembro de 2004, está localizada em No. 88, East Zhongtong Road, cidade de Shuofang, distrito de Xinwu, cidade de Wuxi, província de Jiangsu.Com área de 15.000 metros quadrados e capital social de 81,50 milhões de yuans, é uma empresa de alta tecnologia.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada em dezembro de 2004, está localizada em No. 88, East Zhongtong Road, cidade de Shuofang, distrito de Xinwu, cidade de Wuxi, província de Jiangsu.Com área de 15.000 metros quadrados e capital social de 81,50 milhões de yuans, é uma empresa de alta tecnologia.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada em dezembro de 2004, está localizada em No. 88, East Zhongtong Road, cidade de Shuofang, distrito de Xinwu, cidade de Wuxi, província de Jiangsu.Com área de 15.000 metros quadrados e capital social de 81,50 milhões de yuans, é uma empresa de alta tecnologia.