Dostupnosť: | |
---|---|
Množstvo: | |
MUR1070
WXDH
10A 700V Dióda rýchleho obnovenia
1 Popis
10A, 700V ultrarýchle diódy Majú nízky pokles napätia v priepustnom smere a majú planárnu, nitridom kremíka pasivovanú, iónovo implantovanú, epitaxnú konštrukciu.Tieto zariadenia sú určené na použitie ako energetické riadiace/upínacie diódy a usmerňovače v rôznych spínaných zdrojoch energie a iných aplikáciách spínania energie.Ich nízky uložený náboj a ultrarýchla obnova s charakteristikami mäkkej obnovy minimalizuje zvonenie a elektrický šum v mnohých spínacích obvodoch napájania, čím sa znižuje strata výkonu v spínacom tranzistore TO-220F poskytuje izolačné napätie dimenzované na 2000 V RMS od všetkých troch svoriek k externému chladiču.
2 Vlastnosti
Nízka strata energie,
vysoká účinnosť Nízke priepustné napätie,
vysoká prúdová kapacita Vysoká rázová kapacita
Super rýchle časy obnovy
vysoké napätie
3 Aplikácie
Spínaný zdroj napájania
Výkonové spínacie obvody
Všeobecné účely
VBR | VF(single)(MAX) | IF(AV)(single) |
700 V | 1,6 V | 10A |
10A 700V Dióda rýchleho obnovenia
1 Popis
10A, 700V ultrarýchle diódy Majú nízky pokles napätia v priepustnom smere a majú planárnu, nitridom kremíka pasivovanú, iónovo implantovanú, epitaxnú konštrukciu.Tieto zariadenia sú určené na použitie ako energetické riadiace/upínacie diódy a usmerňovače v rôznych spínaných zdrojoch energie a iných aplikáciách spínania energie.Ich nízky uložený náboj a ultrarýchla obnova s charakteristikami mäkkej obnovy minimalizuje zvonenie a elektrický šum v mnohých spínacích obvodoch napájania, čím sa znižuje strata výkonu v spínacom tranzistore TO-220F poskytuje izolačné napätie dimenzované na 2000 V RMS od všetkých troch svoriek k externému chladiču.
2 Vlastnosti
Nízka strata energie,
vysoká účinnosť Nízke priepustné napätie,
vysoká prúdová kapacita Vysoká rázová kapacita
Super rýchle časy obnovy
vysoké napätie
3 Aplikácie
Spínaný zdroj napájania
Výkonové spínacie obvody
Všeobecné účely
VBR | VF(single)(MAX) | IF(AV)(single) |
700 V | 1,6 V | 10A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. bola založená v decembri 2004 so sídlom č. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Xinwu District, mesto Wuxi, provincia Jiangsu.Rozkladá sa na ploche 15 000 m2.Základné imanie je 81,5 milióna juanov.Má ročnú výrobnú linku 500 miliónov energie de
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, ktorá bola založená v decembri 2004, sa nachádza na č. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, provincia Jiangsu.S rozlohou 15 000 metrov štvorcových a základným imaním 81,50 milióna juanov ide o high-tech veľké podniky
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, ktorá bola založená v decembri 2004, sa nachádza na č. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, provincia Jiangsu.S rozlohou 15 000 metrov štvorcových a základným imaním 81,50 milióna juanov ide o high-tech veľké podniky
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, ktorá bola založená v decembri 2004, sa nachádza na č. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, provincia Jiangsu.S rozlohou 15 000 metrov štvorcových a základným imaním 81,50 milióna juanov ide o high-tech veľké podniky
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, ktorá bola založená v decembri 2004, sa nachádza na č. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, provincia Jiangsu.S rozlohou 15 000 metrov štvorcových a základným imaním 81,50 milióna juanov ide o high-tech veľké podniky
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, ktorá bola založená v decembri 2004, sa nachádza na č. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, provincia Jiangsu.S rozlohou 15 000 metrov štvorcových a základným imaním 81,50 milióna juanov ide o high-tech veľké podniky