Saadavus: | |
---|---|
Kogus: | |
MUR 1070
WXDH
10A 700V Kiire taastamise diood
1 Kirjeldus
10A, 700 V ülikiired dioodid Neil on madal päripinge langus ja need on tasapinnalise, räninitriidi passiveeritud, ioonimplanteeritud, epitaksiaalse konstruktsiooniga.Need seadmed on ette nähtud kasutamiseks energiajuhtimis-/kinnitusdioodidena ja alaldena mitmesugustes lülitustoiteallikates ja muudes toitelülitusrakendustes.Nende madal salvestatud laeng ja ülikiire taastumine pehme taastumisomadustega minimeerib helinaid ja elektrilist müra paljudes toitelülitusahelates, vähendades seega lülitustransistori võimsuskadu. TO-220F tagab isolatsioonipinge, mille nimiväärtus on 2000 V RMS kõigist kolmest klemmist välisele jahutusradiaatorile.
2 Omadused
väike võimsuskadu,
kõrge efektiivsusega madal edasipinge,
suur vooluvõime Suur liigpingevõime
Väga kiired taastumisajad
kõrgepinge
3 Rakendused
Lülitustoiteallikas
Toitelülitusahelad
Üldotstarbeline
VBR | VF (üksik) (MAX) | IF(AV)(üksik) |
700V | 1,6 V | 10A |
10A 700V Kiire taastamise diood
1 Kirjeldus
10A, 700 V ülikiired dioodid Neil on madal päripinge langus ja need on tasapinnalise, räninitriidi passiveeritud, ioonimplanteeritud, epitaksiaalse konstruktsiooniga.Need seadmed on ette nähtud kasutamiseks energiajuhtimis-/kinnitusdioodidena ja alaldena mitmesugustes lülitustoiteallikates ja muudes toitelülitusrakendustes.Nende madal salvestatud laeng ja ülikiire taastumine pehme taastumisomadustega minimeerib helinaid ja elektrilist müra paljudes toitelülitusahelates, vähendades seega lülitustransistori võimsuskadu. TO-220F tagab isolatsioonipinge, mille nimiväärtus on 2000 V RMS kõigist kolmest klemmist välisele jahutusradiaatorile.
2 Omadused
väike võimsuskadu,
kõrge efektiivsusega madal edasipinge,
suur vooluvõime Suur liigpingevõime
Väga kiired taastumisajad
kõrgepinge
3 Rakendused
Lülitustoiteallikas
Toitelülitusahelad
Üldotstarbeline
VBR | VF (üksik) (MAX) | IF(AV)(üksik) |
700V | 1,6 V | 10A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. asutati 2004. aasta detsembris, asukohaga nr 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.Selle pindala on 15000 m2.Registreeritud kapital on 81,5 miljonit jüaani.Selle aastane tootmisliin on 500 miljonit võimsust de
2004. aasta detsembris asutatud Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.
2004. aasta detsembris asutatud Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.
2004. aasta detsembris asutatud Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.
2004. aasta detsembris asutatud Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.
2004. aasta detsembris asutatud Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.