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MUR1070
WXDH
Diodo de recuperación rápida 10A 700V
1. Descripción
Diodos ultrarrápidos de 10 A y 700 V. Tienen una baja caída de voltaje directo y son de construcción epitaxial plana, pasivada con nitruro de silicio, implantada con iones.Estos dispositivos están diseñados para usarse como diodos de dirección/sujeción de energía y rectificadores en una variedad de fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones de conmutación de energía.Su baja carga almacenada y recuperación ultrarrápida con características de recuperación suave minimizan el timbre y el ruido eléctrico en muchos circuitos de conmutación de energía, reduciendo así la pérdida de energía en el transistor de conmutación TO-220F que proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales hasta el disipador térmico externo.
2 características
Baja pérdida de energía,
alta eficiencia Bajo voltaje directo,
capacidad de corriente alta Alta capacidad de sobretensión
Tiempos de recuperación súper rápidos
alto voltaje
3 aplicaciones
Fuente de alimentación conmutada
Circuitos de conmutación de energía
Propósito general
| VBR | VF (simple) (MÁX.) | SI(AV)(único) |
| 700V | 1,6 V | 10 A |
Diodo de recuperación rápida 10A 700V
1. Descripción
Diodos ultrarrápidos de 10 A y 700 V. Tienen una baja caída de voltaje directo y son de construcción epitaxial plana, pasivada con nitruro de silicio, implantada con iones.Estos dispositivos están diseñados para usarse como diodos de dirección/sujeción de energía y rectificadores en una variedad de fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones de conmutación de energía.Su baja carga almacenada y recuperación ultrarrápida con características de recuperación suave minimizan el timbre y el ruido eléctrico en muchos circuitos de conmutación de energía, reduciendo así la pérdida de energía en el transistor de conmutación TO-220F que proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales hasta el disipador térmico externo.
2 características
Baja pérdida de energía,
alta eficiencia Bajo voltaje directo,
capacidad de alta corriente Alta capacidad de sobretensión
Tiempos de recuperación súper rápidos
alto voltaje
3 aplicaciones
Fuente de alimentación conmutada
Circuitos de conmutación de energía
Propósito general
| VBR | VF (simple) (MÁX.) | SI(AV)(único) |
| 700V | 1,6 V | 10 A |
