Tillgänglighet: | |
---|---|
Kvantitet: | |
MUR1070
WXDH
10A 700V Snabbåterställningsdiod
1 Beskrivning
10A, 700V Ultrasnabba dioder De har ett lågt spänningsfall framåt och är av plan, kiselnitridpassiverad, jonimplanterad, epitaxiell konstruktion.Dessa enheter är avsedda att användas som energistyrnings-/spänndioder och likriktare i en mängd olika strömförsörjningsenheter och andra strömkopplingsapplikationer.Deras låga lagrade laddning och ultrasnabba återhämtning med mjuka återvinningsegenskaper minimerar ringsignaler och elektriskt brus i många strömkopplingskretsar, vilket minskar strömförlusten i kopplingstransistorn TO-220F ger isoleringsspänning klassad till 2000V RMS från alla tre terminalerna till extern kylfläns.
2 funktioner
Låg effektförlust,
hög effektivitet Låg framåtspänning,
hög strömkapacitet Hög överspänningskapacitet
Supersnabba återhämtningstider
hög spänning
3 Applikationer
Byta strömförsörjning
Strömkopplingskretsar
Allmänt syfte
VBR | VF(enkel)(MAX) | IF(AV)(enkel) |
700V | 1,6V | 10A |
10A 700V Snabbåterställningsdiod
1 Beskrivning
10A, 700V Ultrasnabba dioder De har ett lågt spänningsfall framåt och är av plan, kiselnitridpassiverad, jonimplanterad, epitaxiell konstruktion.Dessa enheter är avsedda att användas som energistyrnings-/spänndioder och likriktare i en mängd olika strömförsörjningsenheter och andra strömkopplingsapplikationer.Deras låga lagrade laddning och ultrasnabba återhämtning med mjuka återvinningsegenskaper minimerar ringsignaler och elektriskt brus i många strömkopplingskretsar, vilket minskar strömförlusten i kopplingstransistorn TO-220F ger isoleringsspänning klassad till 2000V RMS från alla tre terminalerna till extern kylfläns.
2 funktioner
Låg effektförlust,
hög effektivitet Låg framåtspänning,
hög strömkapacitet Hög överspänningskapacitet
Supersnabba återhämtningstider
hög spänning
3 Applikationer
Byta strömförsörjning
Strömkopplingskretsar
Allmänt syfte
VBR | VF(enkel)(MAX) | IF(AV)(enkel) |
700V | 1,6V | 10A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. grundades i december 2004, beläget på nr 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Xinwu District, Wuxi city, Jiangsu-provinsen.Den täcker en yta på 15000m2.Det registrerade kapitalet är 81,5 miljoner yuan.Den har en årlig produktionslinje på 500 miljoner power de
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. som grundades i december 2004, ligger på nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu-provinsen.Med en yta på 15 000 kvadratmeter och ett registrerat kapital på 81,50 miljoner yuan är det ett högteknologiskt företag.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. som grundades i december 2004, ligger på nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu-provinsen.Med en yta på 15 000 kvadratmeter och ett registrerat kapital på 81,50 miljoner yuan är det ett högteknologiskt företag.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. som grundades i december 2004, ligger på nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu-provinsen.Med en yta på 15 000 kvadratmeter och ett registrerat kapital på 81,50 miljoner yuan är det ett högteknologiskt företag.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. som grundades i december 2004, ligger på nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu-provinsen.Med en yta på 15 000 kvadratmeter och ett registrerat kapital på 81,50 miljoner yuan är det ett högteknologiskt företag.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. som grundades i december 2004, ligger på nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu-provinsen.Med en yta på 15 000 kvadratmeter och ett registrerat kapital på 81,50 miljoner yuan är det ett högteknologiskt företag.