Availability: | |
---|---|
Quantity: | |
MUR1070
WXDH
10A 700V Ieiunium recuperatio diode
1 Description
10A, 700V Ultrafast Diodes Humili deinceps intentione guttam habent et sunt nitridae planae, siliceae passivae, ion-insertae, constructionis epitaxialis.Hae machinis usui destinatae sunt sicut navitas gubernandi/clauendi diodes et rectificatores in variis mutandi commeatus et alia potentia mutandi applicationes.Eorum humilitas reposita custodia et recuperatio ultrafast cum mollis notis recuperandi minimizat sonum sonantem et strepitum electricam in multis circuitionibus mutandi, ita minuendo damnum potentiae in commutatione transistoris TO-220F praebet voltage insulationem in 2000V RMS aestimatam ab omnibus tribus terminalibus ad calores externos.
2 Features
Minimum potentia detrimentum;
alta efficientia Minimum deinceps intentione;
Princeps vena facultatem High fluctu capacitatem
Super ieiunium recuperatio temporibus
alta intentione
III Applications
Switching Power Supple
Power Switching Circuits
General Propositum
VBR | VF(single)(MAX) | SI(AV) |
700V | 1.6V | 10A |
10A 700V Ieiunium recuperatio diode
1 Description
10A, 700V Ultrafast Diodes Humili deinceps intentione guttam habent et sunt nitridae planae, siliceae passivae, ion-insertae, constructionis epitaxialis.Hae machinis usui destinatae sunt sicut navitas gubernandi/clauendi diodes et rectificatores in variis mutandi commeatus et alia potentia mutandi applicationes.Eorum humilitas reposita custodia et recuperatio ultrafast cum mollis notis recuperandi minimizat sonum sonantem et strepitum electricam in multis circuitionibus mutandi, ita minuendo damnum potentiae in commutatione transistoris TO-220F praebet voltage insulationem in 2000V RMS aestimatam ab omnibus tribus terminalibus ad calores externos.
2 Features
Minimum potentia detrimentum;
alta efficientia Minimum deinceps intentione;
Princeps vena facultatem High fluctu capacitatem
Super ieiunium recuperatio temporibus
alta intentione
III Applications
Switching Power Supple
Power Switching Circuits
General Propositum
VBR | VF(single)(MAX) | SI(AV) |
700V | 1.6V | 10A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd firmatum in December MMIV, sita ad No. LXXXVIII, Zhongtong Oriente via, Shuofang, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.15000m2 ambitum tegit.Descriptio capitis est 81.5 decies centena Yuan.Productio annua linea 500 decies centena millia de habet
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis