Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 50A 650V G50T65D TO-3PN

Transistor bipolare a gate isolato Trenchstop da 50 A 650 V

1 Descrizione 

Utilizzando il design Trench proprietario di DongHai e la tecnologia FS avanzata, l'IGBT FS da 650 V offre prestazioni di commutazione superiori, elevata robustezza a valanga e facile funzionamento in parallelo 

2 Caratteristiche 

● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo 

● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 2,0 V @ IC =50 A e Tj =25°C 

● Capacità valanghe estremamente migliorata 

3 applicazioni 

● Saldatura 

●UPS 

● Invertitore a tre livelli

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Vces	Vcesat,Tj=25℃	Circuito integrato
650 V	2,0 V	50A