50 ա 650V տրիբունային մեկուսացված դարպասի երկբեւեռ Transistor G50T65D to-3pn

50 ա 650V տրիբունային մեկուսացված դարպասի երկբեւեռ տրանզիստոր

1 Նկարագրություն 

Օգտագործելով Donghai- ի գույքային խրամատի ձեւավորում եւ նախնական FS տեխնոլոգիա, 650V FS IGBT- ն առաջարկում է բարձրակարգ եւ փոխարկող ներկայացումներ, բարձր ավալանշ գորշություն Հեշտ զուգահեռ գործողություն 

2 առանձնահատկություններ 

● FS խրամատ տեխնոլոգիա, դրական ջերմաստիճանի գործակից 

● Low ածր հագեցման լարում. VCE (SAT), TYP = 2.0V @ IC = 50a եւ TJ = 25 ° C 

● Չափազանց ուժեղացված ավալանշի ունակություն 

3 դիմում 

● Եռակցում 

● ups 

● Եռուկի ինվերտոր