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50A 650V Grabenstop Isoliertes Gate Bipolar Transistor G50T65d bis 3PN

Die 650 -V -FS -IGBT -Technologie von Donghai bietet überlegene und wechselnde Leistungen und Schaltvorstellungen, hohe Lawinen -Robustheit, die Verfügbarkeit von hoher Lawine Easy Parallele Operation:
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50A 650 V Trenchstop Isoliertes Gate Bipolar Transistor

1 Beschreibung 


Die 650 -V -FS IGBT -Technologie von Donghai bietet eine überlegene und wechselnde Leistungen und schaltende Leistungen mit hoher Lawine Robustness Easy Parallel Operation anhand von Donghai. 


2 Merkmale 

● FS -Grabentechnologie, positiver Temperaturkoeffizient 

● Niedrige Sättigungsspannung: VCE (SAT), Typ = 2,0 V @ IC = 50A und TJ = 25 ° C 

● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit 


3 Anwendungen 

● Schweißen 

● ups 

● Wechselrichter mit drei Ebenen



Vces Vcesat, tj = 25 ℃ IC
650 V 2.0V 50a


herunterladen Geräte-DHG50T65D-Spezifikation (TO-3PN) .pdf

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