Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: itthon » Termékek » MODUL » PIM » DGB600H120L2T

Betöltés

Megosztani:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

DGB600H120L2T

600A 1200V Félhíd modul
Elérhetőség:
Mennyiség:
  • DGB600H120L2T

  • WXDH

600A 1200V Félhíd modul

1 Leírás 

Ezek a szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok fejlett tranch és Fieldstop technológiát alkalmaztak, kiváló VCEsat-ot és kapcsolási sebességet, alacsony kaputöltést biztosítottak.Ami megfelel a RoHS szabványnak. 


2 Jellemzők 

  ● FS Trench Technology, pozitív hőmérsékleti együttható 

  ● Alacsony telítési feszültség: VCE (sat), típus = 1,7 V @ IC = 600 A és Tj = 25°C 

  ● Rendkívül továbbfejlesztett lavinaképesség 


3 Alkalmazások 

  • Hegesztés 

  • UPS 

  • Három fokozatú inverter 

  • AC és DC szervo meghajtó erősítő


    típus VCE Ic VCEsat, Tj=25 ℃ Tjop Csomag
    DGB600H120L2T 1200V 600 A (Tj = 100 ℃) 1,7 V (típus) 175℃ 62 mm
Előző: 
Következő: 

Termékkategória

Legfrissebb hírek

  • Iratkozz fel a hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket