Jiangsu Donghai Semikonduktor Co, Ltd
Jiangsu Donghai Semikonduktor Co, Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MODUL » PIM » DGB600H120L2T

memuat

Bagikan ke:
tombol berbagi facebook
tombol berbagi twitter
tombol berbagi baris
tombol berbagi WeChat
tombol berbagi tertaut
tombol berbagi pinterest
tombol berbagi whatsapp
bagikan tombol berbagi ini

DGB600H120L2T

Modul setengah jembatan 600A 1200V
Ketersediaan:
Kuantitas:
  • DGB600H120L2T

  • WXDH

Modul setengah jembatan 600A 1200V

1 Deskripsi 

Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan Fieldstop yang canggih, memberikan VCEsat dan kecepatan peralihan yang sangat baik, biaya gerbang yang rendah.Yang sesuai dengan standar RoHS. 


2 Fitur 

  ● Teknologi Parit FS, Koefisien suhu positif 

  ● Tegangan saturasi rendah: VCE(sat), typ = 1,7V @ IC =600A dan Tj = 25°C 

  ● Kemampuan longsoran salju yang sangat ditingkatkan 


3 Aplikasi 

  • Pengelasan 

  • UPS 

  • Inverter Tiga Tingkat 

  • Penguat penggerak servo AC dan DC


    Jenis VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Kemasan
    DGB600H120L2T 1200V 600A (Tj=100℃) 1.7V (Jenis) 175℃ 62 MM
Sebelumnya: 
Berikutnya: 

Kategori Produk

Berita Terbaru

  • Mendaftarlah untuk buletin kami
  • bersiaplah untuk masa depan,
    daftarlah ke buletin kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda