Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
អ្នកនៅទីនេះ៖ ផ្ទះ » ផលិតផល » ម៉ូឌុល » ភីម » DGB600H120L2T

ការផ្ទុក

ចែករំលែកទៅ៖
ប៊ូតុងចែករំលែក facebook
ប៊ូតុងចែករំលែក twitter
ប៊ូតុងចែករំលែកបន្ទាត់
ប៊ូតុងចែករំលែក wechat
linkedin ប៊ូតុងចែករំលែក
ប៊ូតុងចែករំលែក pinterest
ប៊ូតុងចែករំលែក whatsapp
ចែករំលែកប៊ូតុងចែករំលែកនេះ។

DGB600H120L2T

ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល 600A 1200V
ភាពអាចរកបាន៖
បរិមាណ៖
  • DGB600H120L2T

  • WXDH

ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល 600A 1200V

1 ការពិពណ៌នា 

Insulated Gate Bipolar Transistor ទាំងនេះបានប្រើប្រាស់លេណដ្ឋានកម្រិតខ្ពស់ និងការរចនាបច្ចេកវិទ្យា Fieldstop ដែលផ្តល់នូវ VCEsat ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងល្បឿនប្តូរ ការគិតប្រាក់ទាប។ដែលអនុលោមតាមស្តង់ដារ RoHS ។ 


2 លក្ខណៈពិសេស 

  ● បច្ចេកវិទ្យា FS Trench មេគុណសីតុណ្ហភាពវិជ្ជមាន 

  ● វ៉ុលតិត្ថិភាពទាប៖ VCE(sat), typ = 1.7V @ IC = 600A និង Tj = 25°C 

  ● សមត្ថភាពនៃការធ្លាក់ព្រិលខ្លាំង 


3 កម្មវិធី 

  • ការផ្សារដែក 

  • UPS 

  • Inverter បីជាន់ 

  • ឧបករណ៍ពង្រីកដ្រាយ AC និង DC servo


    ប្រភេទ VCE អ៊ីក VCEsat, Tj = 25 ℃ Tjop កញ្ចប់
    DGB600H120L2T 1200V 600A (Tj=100 ℃) 1.7V (ប្រភេទ) 175 ℃ 62 ម។
មុន៖ 
បន្ទាប់៖ 

ប្រភេទ​ផលិតផល

ព័ត៌មានចុងក្រោយ

  • ចុះឈ្មោះសម្រាប់ព្រឹត្តិបត្រព័ត៌មានរបស់យើង។
  • ត្រៀមខ្លួនសម្រាប់
    ការចុះឈ្មោះនាពេលអនាគតសម្រាប់ព្រឹត្តិបត្រព័ត៌មានរបស់យើងដើម្បីទទួលបានព័ត៌មានថ្មីៗត្រង់ទៅកាន់ប្រអប់សំបុត្ររបស់អ្នក។
    ជាវ