丨
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
ເຈົ້າຢູ່ນີ້: ບ້ານ » ຜະລິດຕະພັນ » ໂມດູນ » PIM » DGB600H120L2T

ກຳລັງໂຫຼດ

ແບ່ງປັນໄປທີ່:
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ facebook
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ twitter
ປຸ່ມ​ແບ່ງ​ປັນ​ເສັ້ນ​
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ wechat
linkedin ປຸ່ມການແບ່ງປັນ
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ pinterest
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ whatsapp
ແບ່ງປັນປຸ່ມແບ່ງປັນນີ້

DGB600H120L2T

600A 1200V ໂມດູນຂົວເຄິ່ງ
ມີ:
ຈໍານວນ:
ສອບຖາມ ເພີ່ມໃສ່ກະຕ່າ

  • DGB600H120L2T

  • WXDH

600A 1200V ໂມດູນຂົວເຄິ່ງ

1 ຄຳອະທິບາຍ 

ເຫຼົ່ານີ້ Insulated Gate Transistor ໄດ້ນໍາໃຊ້ trench ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານແລະການອອກແບບເຕັກໂນໂລຊີ Fieldstop, ສະຫນອງ VCEsat ທີ່ດີເລີດແລະຄວາມໄວສະຫຼັບ, ຄ່າບໍລິການປະຕູຕ່ໍາ.ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 


2 ຄຸນສົມບັດ 

  ● FS Trench Technology, ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມບວກ 

  ● ແຮງດັນຄວາມອີ່ມຕົວຕໍ່າ: VCE(sat), typ = 1.7V @ IC = 600A ແລະ Tj = 25°C 

  ● ຄວາມສາມາດຂອງຫິມະຫິມະຕົກທີ່ດີຂຶ້ນ 


3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

  • ການເຊື່ອມໂລຫະ 

  • UPS 

  • Inverter ສາມລະດັບ 

  • ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ AC ແລະ DC servo drive


    ປະເພດ VCE ໄອຄ VCEsat,Tj=25℃ Tjop ຊຸດ
    DGB600H120L2T 1200V 600A (Tj=100℃) 1.7V (ປະເພດ) 175 ℃ 62ມມ
ທີ່ຜ່ານມາ: 
ຕໍ່ໄປ: 
600A 1200V ໂມດູນຂົວເຄິ່ງ

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

ຂ່າວ​ລ່າ​ສຸດ

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາ
  • ກຽມພ້ອມສໍາລັບອະນາຄົດ
    ທີ່ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາເພື່ອຮັບການອັບເດດໂດຍກົງໄປຫາ inbox ຂອງທ່ານ
    ຈອງ
ສະຫງວນລິຂະສິດ © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd ເຕັກໂນໂລຊີໂດຍ leadong.com