丨
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Сіз осындасыз: Үй » Өнімдер » МОДУЛЬ » PIM » DGB600H120L2T

жүктеу

Бөлісу:
facebook бөлісу түймесі
twitter бөлісу түймесі
сызықты ортақ пайдалану түймесі
wechat бөлісу түймесі
linkedin бөлісу түймесі
pinterest бөлісу түймесі
whatsapp бөлісу түймесі
бөлісу түймесін басыңыз

DGB600H120L2T

600A 1200V Жартылай көпір модулі
Қол жетімділігі:
Саны:
Сұрау Себетке қосу

  • DGB600H120L2T

  • WXDH

600А 1200В Жартылай көпір модулі

1 Сипаттама 

Бұл оқшауланған қақпаның биполярлы транзисторы кеңейтілген траншея мен Fieldstop технологиясының дизайнын қолданды, тамаша VCEsat және коммутация жылдамдығын, төмен зарядты қамтамасыз етті.Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді. 


2 Мүмкіндіктер 

  ● FS Trench Technology, Оң температура коэффициенті 

  ● Төмен қанықтыру кернеуі: VCE(сат), тип = 1,7V @ IC =600A және Tj = 25°C 

  ● Қар көшкінін жою мүмкіндігі өте жоғары 


3 Қолданбалар 

  • Дәнекерлеу 

  • Юнайтед Пансел Сервис 

  • Үш деңгейлі инвертор 

  • Айнымалы және тұрақты ток сервожетегін күшейткіш


    Түр VCE Мен түсінемін VCEsat, Tj=25℃ Tjop Пакет
    DGB600H120L2T 1200 В 600А (Tj=100℃) 1,7 В (типі) 175℃ 62мм
Алдыңғы: 
Келесі: 
600А 1200В Жартылай көпір модулі

Өнім санаты

Соңғы жаңалықтар

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Біздің ақпараттық бюллетеньге жазылыңыз
  • болашаққа дайын болыңыз,
    тікелей кіріс жәшігіңізге жаңартулар алу үшін ақпараттық бюллетеньге жазылыңыз
    Жазылу
Авторлық құқық © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd технологиясы бойынша leadong.com