Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Uko hapa Nyumbani » Bidhaa » MODULI » PIM DGB600H120L2T :

kupakia

Shiriki kwa:
kitufe cha kushiriki facebook
kitufe cha kushiriki twitter
kitufe cha kushiriki mstari
kitufe cha kushiriki wechat
kitufe cha kushiriki kilichounganishwa
kitufe cha kushiriki pinterest
kitufe cha kushiriki whatsapp
Shiriki kitufe hiki cha kushiriki

DGB600H120L2T

600A 1200V Moduli ya nusu ya daraja
Upatikanaji:
Kiasi:
  • DGB600H120L2T

  • WXDH

600A 1200V Moduli ya daraja la nusu

1 Maelezo 

Transistor ya Lango Lililohamishwa la Bipolar ilitumia mfereji wa hali ya juu na muundo wa teknolojia ya Fieldstop, ilitoa VCEsat bora na kasi ya kubadili, malipo ya chini ya lango.Ambayo inalingana na kiwango cha RoHS. 


2 Sifa 

  ● Teknolojia ya FS Trench, mgawo chanya wa halijoto 

  ● Voltage ya chini ya kueneza: VCE(ameketi), chapa = 1.7V @ IC =600A na Tj = 25°C 

  ● Uwezo wa banguko ulioimarishwa sana 


3 Maombi 

  • Kuchomelea 

  • UPS 

  • Inverter ya ngazi tatu 

  • amplifier ya AC na DC servo drive


    Aina VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Kifurushi
    DGB600H120L2T 1200V 600A (Tj=100℃) 1.7V (Aina) 175 ℃ 62 mm
Iliyotangulia: 
Inayofuata: 

Aina ya Bidhaa

Habari mpya kabisa

  • Jisajili kwa jarida letu
  • jitayarishe kwa siku zijazo
    jisajili kwa jarida letu ili kupata sasisho moja kwa moja kwenye kikasha chako
    Jisajili