4A 1500V N-csatornás továbbfejlesztett mód MOSFET DH4N150F TO-3PF

4A 1500V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET

1 Leírás

A DH4N150, a szilícium N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. A tranzisztor különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használható a rendszer miniatürizálása és a nagyobb hatékonyság érdekében. A csomagolási forma TO-3PF, amely megfelel az RoHS szabványnak. 

2 Jellemzők 

• Gyors váltás 

• Alacsony bekapcsolási ellenállás (Rdson≤6,5Ω) 

• Alacsony kaputöltés (tipikus adat: 38nC) 

• Alacsony fordított átviteli kapacitás (tipikus: 2,9 pF) 

• 100% Egyimpulzusos lavina energiateszt 

3 Alkalmazások 

 Az adapter és a töltő tápkapcsoló áramköre.

VDSS	RDS(be)(TYP)	ID
1500V	4,9Ω	4A