12N65/F12N65

12a 650V N-csatornás javítási mód Power MOSFET

1 Leírás

Ezeket a Szilícium-N-csatornát továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a

Vezetési veszteség, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az Avalanche energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.

2 Jellemzők

● Gyors váltás

● Alacsony az ellenállás (rdson≤0,8Ω)

● Alacsony kapu töltés (TIP: 40NC)

● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 9.5pf)

● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt

● 100% ΔVDS teszt

3 alkalmazás

● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.

● Az adapter és a töltő teljesítménykapcsoló áramköre.