pintu gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 12n65/f12n65

Memuatkan

Kongsi ke:
butang perkongsian facebook
butang perkongsian twitter
butang perkongsian garis
butang perkongsian WeChat
butang perkongsian LinkedIn
butang perkongsian Pinterest
butang perkongsian WhatsApp
butang perkongsian sharethis

12n65/f12n65

12A 650V N-Channel Mode Enhancement Power MOSFET
Ketersediaan:
Kuantiti:

12A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Penerangan

Silicon N-channel ini meningkatkan vdmosfets, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan

Kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi menukar dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS.

2 ciri

● Pertukaran cepat

● Rendah terhadap rintangan (RDSON ≤0.8Ω)

● Caj pintu rendah (typ: 40nc)

● Kapasit pemindahan terbalik rendah (typ: 9.5pf)

● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%

● Ujian 100% Δvds

3 aplikasi

● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.

● Litar suis kuasa penyesuai dan pengecas.


VDSS Rds (on) (typ) Id
650V 0.66Ω 12a


Sebelumnya: 
Seterusnya: 
  • Daftar untuk surat berita kami
  • Bersedia untuk
    mendaftar masa depan untuk buletin kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda