Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantiti: | |
12A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Silicon N-channel ini meningkatkan vdmosfets, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan
Kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi menukar dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Pertukaran cepat
● Rendah terhadap rintangan (RDSON ≤0.8Ω)
● Caj pintu rendah (typ: 40nc)
● Kapasit pemindahan terbalik rendah (typ: 9.5pf)
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.
● Litar suis kuasa penyesuai dan pengecas.
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
650V | 0.66Ω | 12a |
12A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Silicon N-channel ini meningkatkan vdmosfets, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan
Kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi menukar dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Pertukaran cepat
● Rendah terhadap rintangan (RDSON ≤0.8Ω)
● Caj pintu rendah (typ: 40nc)
● Kapasit pemindahan terbalik rendah (typ: 9.5pf)
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.
● Litar suis kuasa penyesuai dan pengecas.
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
650V | 0.66Ω | 12a |