12n65 / f12n65

650 AMBFET ရရှိမှု 12A 650V N-channel ကိုတိုးမြှင့်ခြင်း Mosfet Accountabature

12A 650V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Mosfet

1 ဖော်ပြချက်

ဤဆီလီကွန် N-channel ကို Enhanced VDMosfets များကို Selignmosfets ကိုလျှော့ချသည်

conduction ဆုံးရှုံးမှု, switching စွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုးတက်အောင်လုပ်ပြီး avalanche စွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးပါ။ အရာ rohs စံနှင့်အတူသဘောတူညီချက်။

အင်္ဂါရပ် 2 ခု

●မြန်ဆန်စွာ switching

●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (RDSON≤0.8ω)

●ဂိတ်အနိမ့်ဆုံး (Typ: 40NC)

●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏ (typ: 9.5pf)

● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု

● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု

● System Miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါခလုတ်အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုသည်။

● adapter နှင့် charger ၏ power switch circuit ။

VDSS	RDS (အပေါ်)	သတ်
650Vvv	0.66ω	12a

ယခင်:

နောက်တစ်ခု:

ကျွန်တော်တို့ရဲ့သတင်းလွှာအတွက်စာရင်းသွင်းပါ
အနာဂတ်အတွက်အဆင်သင့်ပြင်ဆင်ပါ
သင်၏ Inbox သို့မွမ်းမံရန်ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက်

နားထောင်