12N65/F12N65

12A 650 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus

Need räni N-kanaliga täiustatud vdmosfetid on saadud isejoonduva tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab

juhtivuse kadu, parandada lülitusjõudlust ja suurendada laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile.

2 Omadused

● Kiire ümberlülitamine

● Madal sisselülitamistakistus (Rdson≤0,8Ω)

● Madal väravalaeng (tüüp: 40 nC)

● Madal vastupidine ülekandemahtuvus (tüüp: 9,5 pF)

● 100% ühe impulsi laviini energiatest

● 100% ΔVDS test

3 Rakendused

● Kasutatakse mitmesugustes toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks.

● Adapteri ja laadija toitelüliti ahel.

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
650V	0,66Ω	12A