12n65 / F12N65

ຮູບແບບການປັບປຸງຂອງ MOTIFET

1

Silicon N-channel ທີ່ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ vdmosfets ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຢີຂອງແຜນທີ່ຂອງຕົວເອງທີ່ຫຼຸດລົງ

ການສູນເສຍການຍ່ອຍສະຫຼາຍ, ປັບປຸງການປ່ຽນແປງຂອງການປ່ຽນແປງແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານທີ່ເຫົບ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ Rohs.

2 ລັກສະນະ

●ສະຫຼັບໄວ

●ຕ່ໍາສຸດຕໍ່ຕ້ານ (ສະຫນາມບິນairy≤0.8ω)

●ປະຕູທີ່ມີປະຕູຕ່ໍາ (ປະເພດ: 40CC)

●ມີການໂອນເງິນທີ່ມີການໂອນຍ້າຍທີ່ຕໍ່າ (ປະເພດ: 9.5PF)

● 100% SLULE ALALANCHE PURANCECE PORTALLECE

● 100% ການທົດສອບδvds

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

●ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆສໍາລັບລະບົບ miniaturization ແລະປະສິດທິພາບສູງ.

circle ວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຂອງຜູ້ດັດແປງແລະເຄື່ອງຊາດ.