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Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 60A 650V DGC60F65M TO-247

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Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 60A 650V DGC60F65M TO-247

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche, un fonctionnement parallèle facile

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Modèle:
DGC60F65M
Marque:
WXDH
Emballer:
TO-247
Fiche de données:
DGC60F65M__fiche technique-12.26.pdf
V :
650V
UN:
60A

Description du produit

Transistor bipolaire à porte isolée Trenchstop 60A 650V

1 Caractéristiques

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche et un fonctionnement parallèle facile.

2 Caractéristiques

● Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif

● Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 1,9V @ IC =60A et Tj = 25°C

● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

3 candidatures

● Soudage

● UPS

● Onduleur à trois niveaux

Vces	Emballer	IC(Tj=100℃)
650V	TO-247	60A

IGBT