60A 650V Trenchstop Isoleret Gate Bipolar Transistor DGC60F65M TO-247

60A 650V Trenchstop Isoleret Gate Bipolar Transistor

1 funktioner 

Ved at bruge DongHai's proprietære Trench-design og avancerede FS-teknologi, tilbyder 650V FS IGBT overlegen og skiftende ydeevne, høj lavine robusthed nem parallel betjening 

2 funktioner

● FS Trench Technology, positiv temperaturkoefficient 

● Lav mætningsspænding: VCE(sat), typ = 1,9V @ IC =60A og Tj = 25°C 

● Ekstremt forbedret lavinekapacitet 

3 Ansøgninger

● Svejsning 

● UPS 

● Tre-niveau inverter

Vces	Pakke	Ic(Tj=100℃)
650V	TO-247	60A