Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 60A 650V DGC60F65M TO-247

Transistor bipolare a gate isolato Trenchstop da 60 A 650 V

1 Caratteristiche 

Utilizzando il design Trench proprietario di DongHai e la tecnologia FS avanzata, l'IGBT FS da 650 V offre prestazioni di commutazione superiori, elevata robustezza a valanga e facile funzionamento in parallelo 

2 Caratteristiche

● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo 

● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 1,9 V @ IC = 60 A e Tj = 25°C 

● Capacità valanghe estremamente migliorata 

3 applicazioni

● Saldatura 

●UPS 

● Invertitore a tre livelli

Vces	Pacchetto	Ic(Tj=100℃)
650 V	TO-247	60A