60A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor DGC60F65M TO-247

60A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor

အင်္ဂါရပ်များ ၁ 

DongHai ၏ မူပိုင် Trench ဒီဇိုင်းနှင့် အဆင့်မြင့် FS နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ 650V FS IGBT သည် သာလွန်ကောင်းမွန်ပြီး ပြောင်းလဲနိုင်သော စွမ်းဆောင်ရည်များကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး နှင်းပြိုကျမှု မြင့်မားပြီး အကြမ်းခံကာ အပြိုင်လုပ်ဆောင်ရလွယ်ကူသည်။ 

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု

● FS Trench နည်းပညာ၊ အပြုသဘောဆောင်သောအပူချိန်ကိန်းဂဏန်း 

● ပြည့်ဝသောဗို့အား- VCE(sat), typ = 1.9V @ IC = 60A နှင့် Tj = 25°C 

● နှင်းပြိုကျမှုစွမ်းရည်ကို အလွန်မြှင့်တင်ထားသည်။ 

3 လျှောက်လွှာများ

● ဂဟေဆော်ခြင်း။ 

● UPS 

● သုံးအဆင့် အင်ဗာတာ

Vces	အထုပ်	Ic(Tj=100℃)
650V	TO-247	60A