60A 650V kraavitõkkega isoleeritud väravaga bipolaarne transistor DGC60F65M TO-247

60A 650V Trenchstop isoleeritud värava bipolaarne transistor

1 Omadused 

Kasutades DongHai patenteeritud kaeviku disaini ja täiustatud FS-tehnoloogiat, pakub 650 V FS IGBT suurepäraseid ja lülitusomadusi, kõrget laviinikindlust ja hõlpsat paralleelset töötamist. 

2 Omadused

● FS Trench Technology, positiivne temperatuuritegur 

● Madal küllastuspinge: VCE (sat), tüüp = 1,9 V @ IC = 60 A ja Tj = 25 ° C 

● Äärmiselt täiustatud laviinivõime 

3 Rakendused

● Keevitamine 

● UPS 

● Kolmetasandiline inverter

Vces	pakett	Ic (Tj = 100 ℃)
650V	TO-247	60A