Transistor bipolar DGC60F65M TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 60A 650V

Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop de 60A 650V

1 Características 

Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimiento de conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo. 

2 características

● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 1,9 V @ IC = 60 A y Tj = 25 °C 

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 

3 aplicaciones

● Soldadura 

● SAI 

● Inversor de tres niveles

Vces	Paquete	Ic(Tj=100℃)
650V	A-247	60A