Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi Trenchstop 60A 650V
1 Fitur
Menggunakan desain Trench milik DongHai dan teknologi FS yang canggih, IGBT FS 650V menawarkan kinerja superior dan switching, ketangguhan longsoran salju yang tinggi, pengoperasian paralel yang mudah
2 Fitur
● Teknologi Parit FS, Koefisien suhu positif
● Tegangan saturasi rendah: VCE(sat), typ = 1,9V @ IC =60A dan Tj = 25°C
● Kemampuan longsoran salju yang sangat ditingkatkan
3 Aplikasi
● Pengelasan
● UPS
● Inverter Tiga Tingkat
| Vces |
Kemasan |
Ic(Tj=100℃) |
| 650V |
KE-247 |
60A |