8A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang mga pinahusay na vdmosfet ng N-channel na ito, ay nakuha ng self-aligned na planar na teknolohiya na nagpapababa sa pagkawala ng pagpapadaloy, nagpapabuti sa pagganap ng paglipat at nagpapahusay sa enerhiya ng avalanche. Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS.
2 Mga Tampok
● Mabilis na paglipat
● pinahusay na kakayahan ng ESD
● Mababa ang resistensya (Rdson≤0.9Ω)
● Mababang gate charge(Typ: 24nC)
● Mababang reverse transfer capacitances(Typ: 7pF)
● 100% single pulse avalanche energy test
● 100% ΔVDS test
3 Aplikasyon
● Ginagamit sa iba't ibang power switching circuit para sa miniaturization ng system at mas mataas na kahusayan. ● Power switch circuit ng electron ballast at adaptor.
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 500V |
0.72Ω |
8A |