transistor bipolar G50T65D TO-3PN de la puerta aislada Trenchstop de 50A 650V

Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop de 50A 650V

1 Descripción 

Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimiento de conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo. 

2 características 

● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 2,0 V @ IC = 50 A y Tj = 25 °C 

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 

3 aplicaciones 

● Soldadura 

● SAI 

● Inversor de tres niveles

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Vces	Vcesat,Tj=25℃	ic
650V	2,0 V	50A