Tamaño: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Cantidad: | |
|---|---|
15N65/F15N65/E15N65/D15N65
WXDH
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 7A 650 V
1. Descripción
Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Cambio rápido
● Baja resistencia (Rdson≤0.6Ω)
● Carga de puerta baja (tipo: 47 nC)
● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 33 pF)
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia.
● Circuito de interruptor de alimentación de balastro electrónico y adaptador.
● Transformador electrónico
| VDSS | RDS (activado) (TIPO) | IDENTIFICACIÓN |
| 650V | 0,5Ω | 15A |
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 7A 650 V
1. Descripción
Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Cambio rápido
● Baja resistencia (Rdson≤0.6Ω)
● Carga de puerta baja (tipo: 47 nC)
● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 33 pF)
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia.
● Circuito de interruptor de alimentación de balastro electrónico y adaptador.
● Transformador electrónico
| VDSS | RDS (activado) (TIPO) | IDENTIFICACIÓN |
| 650V | 0,5Ω | 15A |
