ပုံ- 建议图片大小150px*50px 
 |
| အရေအတွက်- | |
|---|---|
15N65/F15N65/ E15N65/D15N65
WXDH
7A 650V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသည့် self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● အမြန်ပြောင်းခြင်း။
● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤0.6Ω)
● တံခါးအားသွင်းမှု နည်းသည် (အမျိုးအစား- 47nC)
● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်(အမျိုးအစား- 33pF)
● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
● စနစ်အသေးစားနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ပါဝါပြောင်းသည့်ပတ်လမ်းအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုသည်။
● အီလက်ထရွန်းနစ် ballast နှင့် adaptor ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း။
● အီလက်ထရွန်နစ် ထရန်စဖော်မာ
| VDSS | RDS(ဖွင့်)(TYP) | အမှတ်သညာ |
| 650V | 0.5Ω | 15A |
7A 650V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသည့် self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● အမြန်ပြောင်းခြင်း။
● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤0.6Ω)
● တံခါးအားသွင်းမှု နည်းသည် (အမျိုးအစား- 47nC)
● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်(အမျိုးအစား- 33pF)
● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
● စနစ်အသေးစားနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ပါဝါပြောင်းသည့်ပတ်လမ်းအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုသည်။
● အီလက်ထရွန်းနစ် ballast နှင့် adaptor ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း။
● အီလက်ထရွန်နစ် ထရန်စဖော်မာ
| VDSS | RDS(ဖွင့်)(TYP) | အမှတ်သညာ |
| 650V | 0.5Ω | 15A |
