注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Кількість: | |
|---|---|
15N65/F15N65/ E15N65/D15N65
WXDH
7A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
Ці покращені vdmos-транзистори з N-каналом отримані за допомогою саморегульованої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини.Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Низький опір (Rdson≤0,6Ω)
● Низький заряд затвора (тип: 47nC)
● Низька ємність зворотного перенесення (тип: 33 пФ)
● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● Використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.
● Схема вимикача живлення електронного баласту та адаптера.
● Електронний трансформатор
| VDSS | RDS (увімкнено) (TYP) | ID |
| 650В | 0,5 Ом | 15А |
7A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
Ці покращені vdmos-транзистори з N-каналом отримані за допомогою саморегульованої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини.Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Низький опір (Rdson≤0,6Ω)
● Низький заряд затвора (тип: 47nC)
● Низька ємність зворотного перенесення (тип: 33 пФ)
● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● Використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.
● Схема вимикача живлення електронного баласту та адаптера.
● Електронний трансформатор
| VDSS | RDS (увімкнено) (TYP) | ID |
| 650В | 0,5 Ом | 15А |
